SK 海力士不再落队 已开发出第三代 1Z 纳米 DDR4 动态随机存储器

2019-11-02 投稿人 : www.mcxj.net 围观 : 1563 次
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在美光和三星成功解决了1Znm工艺的16Gb DDR4 DRAM存储芯片之后,SK海力士终于赶上了团队。

昨天,SK海力士宣布开发第三代1Z纳米DDR4动态随机存取存储器(DRAM)。根据SK Hynix的说法,该芯片在单芯片标准中达到了业界最大的16Gb,并且单个晶圆中可以生产的内存量也是现有DRAM中最大的。

与上一代1Y nm产品相比,其生产能力提高了约27%,由于不需要昂贵的极紫外(EUV)光刻技术,因此更具成本竞争力。

此1Z纳米DRAM还稳定地支持高达3200 Mbps的数据传输速率,这是DDR4规范中最高的速度。功耗也显着增加,与基于第二代8Gb产品的相同容量模块相比,功耗降低了约40%。

尤其是,第三代产品适用于在上一代生产工艺中从未使用过的新材料,以最大化DRAM操作的电容。此外,还引入了新的设计技术来提高机芯的稳定性。

据报道,SK Hynix的第三代10 nm DDR4 DRAM计划于今年内量产,并将于明年正式上市。

接下来,SK海力士计划将其第三代10nm微工程技术扩展到多种应用中,包括下一代移动DRAM LPDDR5和高端DRAM HBM3。

最后,SK hynix计划将1Znm工艺扩展到各种应用,例如下一代LPDDR5移动DRAM和更快的HBM3存储器。

(原标题:SK海力士不再排队,已开发出第三代1Z nano DDR4动态随机存取存储器)

(编辑器:DF515)